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US6K2
Transistors
4V Drive Nch+Nch MOSFET
US6K2
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Features
1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package.
2) High-speed switching, Low On-resistance.
3) 4V drive.
Applications
Switching
Packaging specifications
Dimensions (Unit : mm)
TUMT6
Abbreviated symbol : K02
Inner circuit
Type
US6K2
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
? 2
(6)
(5)
? 1
(4)
? 2
? 1
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Drain
(1)
(2)
(3)
(4) Tr2 Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2>
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Tr2 Gate
(6) Tr1 Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
30
20
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 1.4
± 5.6
0.6
5.6
A
A
A
A
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
P D
Tch
Tstg
? 2
1.0
0.7
150
? 55 to + 150
W / TOTAL
W / ELEMENT
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
125
179
Unit
° C/W / TOTAL
° C/W / ELEMENT
? Mounted on a ceramic board
Rev.B
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